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Hynix宣布成功开发出20nm制程64Gbit密度MLCNAND闪存芯片FPGACPLD万芳

发布时间:2020-02-14 11:38:43 阅读: 来源:回流焊厂家

Hynix宣布成功开发出20nm制程64Gbit密度MLC NAND闪存芯片 - FPGA/CPLD - 电子工程网

据Hynix透露,成功实现大容量MLC NAND芯片20nm制程化的关键在于air-gap技术的应用,这种技术与逻辑芯片互连层用low-k电介质上应用的air-gap技术非常类似,可以减小字线间(简单说就是NAND各控制栅极的连线)的相互干扰。通过采用尺寸较大的air gap结构,Hynix成功将闪存芯片中的信号干扰降低到了较小的水平。

据Hynix介绍,airgap减小线路间干扰的效果还与airgap的形状和所处的位置(在芯片中的高度)有很大的关联。因此,Hynix选用了方形或椭圆形状的airgap,并且模拟了分别采用这两种不同形状的airgap在处于不同高度位置(指airgap结构下部到浮栅下端的距离在0-200埃之间变化)时的降噪作用变化,最后,他们发现采用方形airgap,并且与浮栅下端的高度差为0埃时的降噪效果最好。

另外,Hynix还透露其制作这种20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片时,字线及位线(简单说就是连接NAND晶体管漏极的金属线)采用的光刻技术是193nm波长ArF光源液浸式光刻系统+自对准式双重成像技术(原文为spacer patterning technology,其实就是人们常说的SADP技术的另一种叫法而已)。

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